Strona glówna
•
FAQ
•
Szukaj
•
Użytkownicy
•
Grupy
•
Galerie
•
Rejestracja
•
Profil
•
Zaloguj się, by sprawdzić wiadomości
•
Zaloguj
Forum Forum MESA !! Strona Główna
->
Hydepark
Napisz odpowiedź
Użytkownik
Temat
Treść wiadomości
Emotikony
Więcej Ikon
Kolor:
Domyślny
Ciemnoczerwony
Czerwony
Pomarańćzowy
Brązowy
Żółty
Zielony
Oliwkowy
Błękitny
Niebieski
Ciemnoniebieski
Purpurowy
Fioletowy
Biały
Czarny
Rozmiar:
Minimalny
Mały
Normalny
Duży
Ogromny
Zamknij Tagi
Opcje
HTML:
TAK
BBCode
:
TAK
Uśmieszki:
TAK
Wyłącz HTML w tym poście
Wyłącz BBCode w tym poście
Wyłącz Uśmieszki w tym poście
Kod potwierdzający: *
Wszystkie czasy w strefie EET (Europa)
Skocz do:
Wybierz forum
Nabór do ZESPÓŁ Forum MESA
----------------
Nabór
MESA - DRUŻYNY
----------------
GKS Bełchatów
Cracovia Kraków
Dyskobolia Grodzisk Wielkopolski
Górnik Zabrze
Jagiellonia Białystok
Korona Kielce
Lech Poznań
Legia Warszawa
ŁKS Łódź
Odra Wodzisław Śląski
Polonia Bytom
Ruch Chorzów
Wisła Kraków
Zagłębie Lubin
Zagłębie Sosnowiec
MESA - OGÓLNIE
----------------
Regulamin
Terminarz
Sędziowie
Wyniki
DLA KIBICA
----------------
Typer
Rozrywka
Sonda
INNE
----------------
Hydepark
Reklama
PARTNERZY
----------------
Parnerzy w reklamie i realizacji projektu !!
Przegląd tematu
Autor
Wiadomość
wee960t2e
Wysłany: Śro 5:25, 09 Mar 2011
Temat postu: Fujian Jiangle Lighting Design _led display techni
4. materials,
display board
, ease of preparation and cost of high and low: Taking into account the needs of industrial development, preparation of the substrate material be simple, cost should not be very high. Substrate size is generally not less than 2 inches. GaN-based LED current for more substrate materials, but can be used for commercial substrates are only two, namely sapphire and silicon carbide substrate.
Others, such as GaN, Si, ZnO substrate is still in development stage,
LED display board
, some distance away from the industry. GaN: the best substrate for GaN growth is the GaN single crystal material,
LED outdoor sign
, can greatly improve the crystalline quality of epitaxial films and reduce the dislocation density and improve the working life of the device to improve the luminous efficiency and device operating current density. Preparation of GaN single crystal body,
for sale boards
, but very difficult, so far there has not been an effective approach.
Zinc oxide: ZnO has become a candidate for GaN epitaxial substrate, because both have very striking similarities. Both the same crystal structure, lattice identify the degree is very small, close to the band gap (the band discontinuity is small and exposure to small barrier). However, ZnO as the Achilles heel of GaN epitaxial GaN epitaxial growth in an atmosphere of temperature and easily decomposed, and corrosion.
Currently, ZnO semiconductor material used to make optoelectronic devices still can not, or high-temperature electronic devices, mainly the material fails to reach the device level and P-type doping problem is not a real solution for the growth of ZnO-based semiconductor equipment had not been developed.
fora.pl
- załóż własne forum dyskusyjne za darmo
Theme
FrayCan
created by
spleen
&
Download
Powered by
phpBB
© 2001, 2005 phpBB Group
Regulamin